机译:通过收敛光束电子衍射在深亚微米器件的NM刻度下应变表征
CNR-Istituto LAMEL via Gobetti 101 IT-40129 Bologna Italy;
CNR-Istituto LAMEL via Gobetti 101 IT-40129 Bologna Italy;
Department of Electronic and Electrical Engineering Mappin Street Sheffield S1 3JD UK;
SGS-Thomson Microelectronics s.r.l. Via C. Olivetti 2 IT-20041 Agrate Brianza MI Italy;
Department of Electronic and Electrical Engineering Mappin Street Sheffield S1 3JD UK;
Istituto Nazionale per la Fisica della Materia Universita di Modena e Reggio Emilia Via Campi 213/A IT-41100 Modena Italy;
SGS-Thomson Microelectronics s.r.l. Via C. Olivetti 2 IT-20041 Agrate Brianza MI Italy;
electron diffraction; process simulation; silicon devices; strain; stress;
机译:通过收敛光束电子衍射在深亚微米器件的NM刻度下应变表征
机译:利用会聚束电子衍射测量半导体器件中的局部晶格应变
机译:通过会聚束电子衍射直接测量65 nm节点应变硅晶体管中的应变
机译:会聚束电子衍射在深亚微米器件的纳米尺度上表征应变
机译:通过会聚束电子衍射表征低于100 nm的硅晶体管中的应变。
机译:三束会聚电子衍射仪用于测量结晶相
机译:布拉格相干X射线衍射完全纳米线电子设备中的纳米尺度应变映射
机译:Lehmpfuhl,Krahl和Uchida(1995)对硅中能量过滤会聚束电子衍射图中HOLZ线的对比度的评论