CNR-Istituto LAMEL, via Gobetti, 101, IT-40129 Bologna, Italy;
electron diffraction; process simulation; silicon devices; strain; stress;
机译:通过收敛光束电子衍射在深亚微米器件的NM刻度下应变表征
机译:STEM中会聚束电子衍射在深亚微米Si器件中的应变映射
机译:利用会聚束电子衍射测量半导体器件中的局部晶格应变
机译:暗场电子全息和纳米束电子衍射在纳米级分辨率下测量半导体行业的应变
机译:通过会聚束电子衍射表征低于100 nm的硅晶体管中的应变。
机译:三束会聚电子衍射仪用于测量结晶相
机译:布拉格相干X射线衍射完全纳米线电子设备中的纳米尺度应变映射
机译:Lehmpfuhl,Krahl和Uchida(1995)对硅中能量过滤会聚束电子衍射图中HOLZ线的对比度的评论