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机译:等离子体增强原子层沉积沉积超导铌氮化钛薄膜
Stanford Univ Dept Appl Phys Stanford CA 94305 USA;
Veeco Cambridge NanoTech 130 Turner St Bldg 2 Waltham MA 02453 USA;
Stanford Univ Dept Mat Sci &
Engn Stanford CA 94305 USA;
Lehigh Univ Mat Sci &
Engn Dept Bethlehem PA 18015 USA;
Veeco Cambridge NanoTech 130 Turner St Bldg 2 Waltham MA 02453 USA;
Lehigh Univ Mat Sci &
Engn Dept Bethlehem PA 18015 USA;
Stanford Univ Dept Mat Sci &
Engn Stanford CA 94305 USA;
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
niobium titanium nitride; thin films; atomic layer deposition;
机译:等离子体增强原子层沉积沉积超导铌氮化钛薄膜
机译:通过热退火改善超导氮化物薄膜的超导等离子体增强原子层沉积的临界温度
机译:等离子体增强原子层沉积沉积的氧化铌薄膜的组成和电调节
机译:金属电极氮化铌和铌氮化硅薄膜的原子层沉积
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:通过等离子体增强的原子层沉积使用四甲基(二甲基氨基)钛(TDMAT)和四氯化钛(TiCl4)前体制备的锡薄膜的数据集
机译:通过热退火改善超导氮化物薄膜的超导等离子体增强原子层沉积的临界温度