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张振厚;
无;
等离子体; 气相沉积; 氮化钛; 薄膜;
机译:通过等离子体增强化学气相沉积,用单一前体1,1,1,3,5,7,7,5-二氧化硅氧烷沉积的低k SicoH薄膜沉积。通过等离子体增强化学气相沉积,含有单次前体1,1,1,3,5,7,7,7八甲基-3,5-双(三甲基硅氧基)四硅氧烷
机译:原位和异位等离子体处理的有机金属化学气相沉积氮化钛薄膜的比较
机译:等离子体增强了CH_4-CO_2等离子体中a-C:H薄膜的化学气相沉积:气体成分和基材偏向对薄膜结构和生长过程的影响
机译:等离子体功率和沉积压力对等离子体增强化学气相沉积法沉积低介电常数等离子体聚合环己烷薄膜性能的影响
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:193 nm ArF受激准分子激光在激光辅助等离子体增强SiNx的化学气相沉积中的作用以进行低温薄膜封装
机译:低温下类二氧化硅薄膜的等离子体辅助化学气相沉积的优化低温下类石英薄膜的等离子体辅助化学气相沉积的优化
机译:用电子束生成等离子体的等离子体增强化学气相沉积siOx薄膜
机译:磁化板等离子体源中化学气相沉积法在金属基质上形成氮化钛薄膜
机译:通过化学气相沉积在磁片等离子体源中在金属基板上形成氮化钛薄膜
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