气相沉积

摘要： 微弧氧化是一种在阀金属表面形成氧化物陶瓷膜层,进而提高阀金属耐磨耐蚀性能的表面处理技术。然而,传统微弧氧化膜层不具有自润滑性能,其粗糙多孔的表面微观结构常使该膜层呈现较高的摩擦系数,这极大限制了微弧氧化技术在摩擦学领域的应用。为此,将微弧氧化膜层与具有自润滑性能的材料相复合,获得自润滑微弧氧化复合膜层的技术近年来得到了广泛关注。本文综述了自润滑微弧氧化复合膜层制备技术的最新研究进展,分析了膜层制备过程中的主要影响因素;基于复合膜层的微观形貌及摩擦学性能,探讨了各项制备技术的优势和不足;指出了自润滑微弧氧化复合膜层的技术难点。最后,简述了自润滑微弧氧化复合膜层在工业领域的实际应用,并展望了其未来发展方向。

摘要： 纳米二氧化硅俗称“白炭黑”,具有粒径小、比表面积大、表面能大、吸附能力强、纯度高等优异性能。基于沉淀法、气相法和非金属矿法制备的纳米二氧化硅的性能特点,为适应材料性能的高要求,满足当代工业和生活的需要,对纳米二氧化硅表面改性进行了深入研究。添加硅烷偶联剂可以改善气相法白炭黑与NR的相容性;在白炭黑中添加表面活性剂可以获得气溶胶性质;接枝聚合物改性;与醇类反应获得具有疏水性能的纳米二氧化硅。制备高性能纳米二氧化硅是未来发展方向。

摘要： 2022年4月27日,全国金属与非金属覆盖层标准化技术委员会第一届气相沉积分技术委员会成立大会暨国家标准审查会采用线下+线上相结合的形式召开,会议主会场设在武汉材料保护研究所有限公司(气相沉积分技术委员会秘书处挂靠单位)。相关单位领导以及来自全国各地的委员、专家和标准起草人员共计20余人在主会场或通过视频参加了会议。

摘要： 金刚石作为一种碳单质,是石墨、富勒烯及碳纳米管等的同素异形体。凭借其特殊的晶体结构,具有极低摩擦系数、热膨胀系数及极高硬度、导热性能、禁带宽度、声音传播速度等物理性能。文章综述了MPCVD法制备金刚石薄膜的机理及各表征方法的原理和用途,论述了MPCVD法制备金刚石薄膜工艺的研究进展,分别分析了气压、微波功率、气体流动方式、基体温度及氮掺杂等因素对沉积金刚石薄膜质量的影响。以上工艺参数对金刚石薄膜性能具有一定影响,在生产过程中需选择最佳参数以制备出质量较好的薄膜。最后论述了金刚石薄膜在生物医学领域的应用前景及目前亟待解决的技术难题。在钛合金表面涂覆一层金刚石薄膜可赋予钛合金高硬度、耐磨蚀等性能,且其具有良好的生物相容性,在生物医学领域将具有广阔的应用市场,但由于膜层内应力较大使得金刚石薄膜与基体结合较差,这也是目前亟待解决的问题。

摘要： 申请(专利)号:CN202211093253.9公开(公告)日:2022-10-11申请(专权)人:拓荆科技(上海)有限公司摘要:本发明涉及一种阀门,以及一种气相沉积设备。所述阀门安装于反应腔体的上盖板的上表面,并包括进气口、第一出气口及第二出气口。所述进气口经由进气管道连接气源。所述第一出气口经由第一出气管道连接排气通道。所述第二出气口经由所述上盖板连通到其下方的气相沉积反应腔体。通过采用该结构,所述阀门能够快速切换反应气体的流向,以满足高精度控制薄膜厚度的实时性需求和稳定性需求。

摘要： 为了提高金属纺织专用基础件的性能,延长其使用寿命,介绍表面处理技术分类和金属纺织专用基础件的失效类别,详细分析热渗镀、电镀、化学镀、气相沉积技术等常见表面处理技术的原理、特点及其在金属专用基础件中的应用。指出:金属纺织专用基础件性能失效主要是由于相互摩擦、与纤维或纱线等摩擦磨损导致;表面处理技术是提高金属纺织专用基础件耐磨性、延长其使用寿命的重要方法之一;不同表面处理技术具有不同的效果和优势,使用梯度陶瓷复合镀层、过滤阴极真空电弧石墨镀膜、自润滑高强度的共晶石墨钢镀层等新型表面技术是提高金属纺织专用基础件性能的主要研发方向。

摘要： 随着未来信息器件朝着更小尺寸、更低功耗和更高性能方向的发展,构建器件的材料尺寸将进一步缩小.传统的"自上而下"技术在信息器件发展到纳米量级时遇到瓶颈,而气相沉积技术由于其能在原子尺度构筑纳米结构引起极大关注,被认为是最有潜力突破现有制造极限进而在原子尺度构造、搭建物质形态的"自下而上"方法.本文重点讨论适用于低维材料的原子尺度制造的分子束外延技术和原子层沉积/刻蚀技术.简要介绍相关技术中蕴含的科学原理及其在纳米信息器件加工和制造领域的应用,并探讨如何在原子尺度实现对低维功能材料厚度和微观形貌的精密控制.

摘要： 二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi2 Se3是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO2/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi2 Se3薄膜,在此基础上构建了Bi2 Se3光电探测器,测试结果表明Bi2 Se3薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.

摘要： 二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Se_(3)是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO^(2)/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi_(2)Se_(3)薄膜,在此基础上构建了Bi_(2)Se_(3)光电探测器,测试结果表明Bi_(2)Se_(3)薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.

摘要： 综述了以三氟化硼为原料,分别采用金属热还原法、熔盐电解法及气相沉积法制备硼粉的三种工艺路线,分析和比较了每条工艺路线制备硼粉的纯度、产率及其优缺点,提出了一条以三氟化硼为原料先制备硼烷,再由硼烷采用流化床化学气相沉积法高效、低能、产业化制备硼粉的工艺路线.

摘要： 通过在材料表面构筑微纳米结构可有效地减小污损生物在材料表面的附着强度,增进防污材料的污损释放性能。有机硅弹性体(PDMS)具有良好的低表面能和低弹性模量特性,是目前污损释放型防污涂料的主要组成部分。采用射流等离子体和低压条件下的介质阻挡等离子体对PDMS表面进行了活化,通过气相沉积法研究了具有不同反应基团(氯、甲氧基、乙氧基)和末端基团(十二烷基、辛基、丙基、苯基)的有机硅烷在活化的PDMS表面的反应性能,通过红外光谱和X射线光电子能谱对PDMS活化表面和有机硅烷自组装表面进行了表征,通过原子力显微镜和扫描电镜对有机硅烷自组装表面的形貌进行了观察。结果表明,低压条件下的介质阻挡等离子体可对PDMS表面成功进行活化;有机氯硅烷、三甲氧基胺基硅烷可在活化的PDMS表面组装并获得微纳米级的柱状或沟壑状微结构表面。

摘要： 通过在材料表面构筑微纳米结构可有效地减小污损生物在材料表面的附着强度,增进防污材料的污损释放性能。有机硅弹性体(PDMS)具有良好的低表面能和低弹性模量特性,是目前污损释放型防污涂料的主要组成部分。本文通过射流等离子体和低压条件下的介质阻挡等离子体对PDMS表面进行了活化,通过气相沉积法研究了具有不同反应基团(氯、甲氧基、乙氧基)和末端基团(十二烷基、辛基、丙基、苯基)的有机硅烷在活化的PDMS表面的反应性能,通过红外光谱和X射线光电子能谱对PDMS活化表面和有机硅烷自组装表面进行了表征,通过原子力显微镜和扫描电镜对有机硅烷自组装表面的形貌进行了观察。结果表明,低压条件下的介质阻挡等离子体可对PDMS表面成功进行活化;有机氯硅烷、三甲氧基胺基硅烷可在活化的PDMS表面组装并获得微纳米级的柱状或沟壑状微结构表面。

摘要： 介绍了气相沉积技术的原理、分类、研究现状和发展趋势,硬质薄膜具的有高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高热阻、高热稳定性、高抗高温氧化性能使其作为一种新型材料在机械，电子，航空航天等工业中有着广泛的应用，在机械工业中通过在各种切削刀具，模具及各种在经常在重负荷高温高速条件下工作的机械部件沉积耐磨、减摩等保护膜可以显著提高机械部件的使用寿命；在航空航天工业中，在航空发动机的表面沉积具有很好的高温热稳定性高的导热性保护膜，可以提高发动机的使用寿命，通过在航天飞机的表面沉积高温稳定性较好的陶瓷薄膜，对航天飞机的外壳起到很好的保护作用。在电子工业中，计算机硬盘盘片，光盘盘片等高速运转的器件需要在表面沉积一层硬质薄膜，以确保盘片在高速运转过程中以及启动和停止过程中不会损坏。在选择不同服役条件下工件表面要沉积的薄膜材料时，首先要对工件的失效情况进行分析，之后要分析工件的服役条件，不同的服役条件，对要镀的薄膜的性能有不同的要求，选择不同类型的薄膜，并选择薄膜的制备工艺。薄膜的性能包括机械性能，物理性能和化学性能。机械性能主要有硬度强度韧性膜基结合力残余应力抗冲击能力抗粘接性能。物理性能包括导热性，热膨胀系数，电学性能。光学性能，磁学性能，化学性能丰要包括高温热稳定性抗氧化性和抗腐蚀性能。总之，气相沉积技术将是新薄膜材料及应用的发展中心，材料的选择和沉积膜的质量将进一步得到发展和提高。其前沿的继续发展将满足电子学、光学、磨损、腐蚀和热覆盖层不断提高的要求。

摘要： 简要介绍了乌克兰科学院提出的电子束物理气相沉积制备电极复合材料的新技术，以及典型的性能。该技术已经实现工业化，还可用于热障涂层和刀具涂层等。其产品性能国际领先。

摘要： 二氯甲烷(DCM)是应用最广泛的有机溶剂之一,其排入大气不仅造成极大的资源浪费,而且危害人类健康,破坏臭氧层以及天然水,工业上应用吸附回收法对其进行处理。为了提高活性炭纤维在高含水率下对二氯甲烷气体的吸附回收性能,以道康宁184为试剂,通过气相沉积工艺在活性炭纤维表面制备疏水涂层,并表征其结构,评价其疏水和吸附性能.结果表明:处理后活性炭纤维的碘值、比表面积和二氯甲烷静态吸附量相比原样均有不同程度的降低,且随着处理温度的增加,降低幅度增大.表面处理样品ACF-P250与水的接触角达到126毅,FT-IR、SEM、EDS检测结果也证实其表面沉积了低表面能物质聚二甲基硅氧烷.采用自制的溶剂回收吸附装置对改性样品ACF-P250和原样ACF-YY进行动态吸附实验,结果显示,同样在100％～110％含水率条件下,ACF-P250的动态吸附量高81.2％.

摘要： 近年来，随着制备工艺及技术的发展，SiC陶瓷材料逐渐成为制备卫星反射镜的首选材料。采用反应烧结制备的碳化硅制品通常含有10％～20％的Si,由于Si与SiC两种材料的物理性能存在差异,在镜面的抛光过程中两种材料的去除速率不一致,导致制品出现缺陷,其表面粗糙度通常无法满足空间遥感用反射镜的光学应用要求,为此本研究采用化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD)对镜面进行改性,通过SEM分析了2种改性涂层与基体的结合性能,采用分光光度计分析两种改性材料的反射效果,实验表明采用无缺陷的CVDSiC和PVDSi涂层都适宜做Si-SiC反射镜改性涂层,在此基础上对不同温度及不同位置下制备的碳化硅涂层进行分析,对CVD过程的化学动力及气体流场对膜层的影响进行初步分析讨论,为CVD工艺制备大尺寸SiC涂层提供依据.

摘要： 采用VAD工艺制造的光纤预制棒,其折射率剖面结构在沉积过程中采用一次成型.气相沉积过程中,掺入用于改变折射率的元素和分子会随着温度的不同而发生沉积、迁移和挥发效应,如何设定好沉积过程中目标棒表面温度的分布是实现理想光纤预制棒折射率剖面的关键.本文一方面通过对各气体不同配比情况下,目标棒表面温度变化的研究,得到了实现理想剖面的气体流量配比及剖面控制方法;另一方面,根据各区域温度色带分布面积变化,可对预制棒的剖面结构进行量化调整;还分析了不同棒头形状下剖面结构的变化.

摘要： 介绍了离子注入、离子束沉积、等离子体增强化学气相沉积、等离子体化学热处理、双层辉光离子渗金属、等离子喷涂和高分子材料表面改性等等离子体表面处理技术的基本原理和工艺特点,并给出了一些应用实例。

摘要： 本文通过化学气相沉积过程进行了碳纳米管阵列的制备，并考察了在该过程中添加弱氧化气氛CO2对碳纳米管阵列生长的影响。实验结果表明，生长过程中添加CO2可对热化学气相沉积过程制备的碳纳米管的结构（管径，壁数）进行控制；高温下氧化过程可消除制备过程中生成的热解炭，提高碳纳米管质量。高温下CO2氧化可进一步削弱碳纳米管阵列与基板的结合作用力，促进阵列与基板的分离，为大规模生产中阵列的批量分离提供了一种手段。

摘要： 气相输运法制备的多晶CdTe薄膜经过CdCl2气氛下退火处理后，晶粒明显增大，晶界消融，晶粒对(111)面的取向增强。CdTe和Au、Ni、Co和Cu间的接触电阻率，在经过热退火处理后，下降一个数量级；在CdTe和金属电极之间加一层ZnTe:Cu过渡层并退货后，CdTe/metal接触电阻率进一步下降一个数量级。

摘要： 本发明涉及一种用于在一个或多个衬底上涂覆涂层的方法，所述涂层的成分以至少两种气体的形式借助于一进气装置输入工艺过程腔室(7)，其中，所述气体分别被引入所述进气装置的叠置的腔室(1，2)，并且从那通过连接至所述工艺过程腔室(7)的气体流出孔(3，4)进入所述工艺过程腔室(7)。为了进一步发展开头所述的、用于形成单层涂层的方法或装置，本发明建议，由于两个腔室中的每个各分为至少两个基本上全等地叠置的隔间(1a，1b；2a，2b)，所述两种过程气体在周向相互分隔地进入所述工艺过程腔室，因此，环形地布置在形成所述工艺过程腔室(7)的底部的衬底支架(9)上的衬底(10)由于所述衬底支架(9)围绕其轴线(9)的转动依次暴露在不同的过程气体中。

摘要： 本发明涉及一种用于在一个或多个衬底上涂覆涂层的方法，所述涂层的成分以至少两种气体的形式借助于一进气装置输入工艺过程腔室(7)，其中，所述气体分别被引入所述进气装置的叠置的腔室(1，2)，并且从那通过连接至所述工艺过程腔室(7)的气体流出孔(3，4)进入所述工艺过程腔室(7)。为了进一步发展开头所述的、用于形成单层涂层的方法或装置，本发明建议，由于两个腔室中的每个各分为至少两个基本上全等地叠置的隔间(1a，1b；2a，2b)，所述两种过程气体在周向相互分隔地进入所述工艺过程腔室，因此，环形地布置在形成所述工艺过程腔室(7)的底部的衬底支架(9)上的衬底(10)由于所述衬底支架(9)围绕其轴线(9)的转动依次暴露在不同的过程气体中。

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基)。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R

摘要： 本发明揭示了一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法，一次性全表面气相沉积支架包括共轴的第一支架和第二支架，所述第一支架上形成有至少一个第一支撑平面，所述第二支架上形成有与每个第一支撑平面匹配且共轴的第二支撑平面；第一状态下，每个所述第一支撑平面高于与其对应的所述第二支撑平面；第二状态下，每个所述第一支撑平面低于与其对应的所述第二支撑平面。本发明设计精巧，采用两套支架结构，并使一支架中的每个支撑平面可高于或低于另一支架中的对应支撑平面，可以自动切换与工件接触的支架，进而改变工件被遮蔽的位置，实现一次性沉积，自动化程度高，操作简单，不需要停止沉积过程，减少了时间成本，大大提高了沉积效率。

摘要： 本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基。)

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积系统、方法及系统的装置。所述系统包括涂覆室、流体引入系统和辐射加热元件的装置。所述涂覆室具有围绕涂覆区域延伸的封闭边界以及以相对于所述封闭边界的轴向取向定位的通路部分，所述涂覆室处于固定且水平的位置。所述流体引入系统包括真空泵和流体引入装置，所述流体引入系统被布置和设置成将流体引入所述涂覆室以便在所述涂覆室中对制品进行化学气相沉积涂覆。所述辐射加热元件的装置定位在所述涂覆室之外并且与所述涂覆室的所述封闭边界到所述涂覆室内的加热区热连接。所述方法使用所述系统。所述装置包括不止一个所述化学气相沉积系统。

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R

摘要： 本发明揭示了一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法，一次性全表面气相沉积支架包括共轴的第一支架和第二支架，所述第一支架上形成有至少一个第一支撑平面，所述第二支架上形成有与每个第一支撑平面匹配且共轴的第二支撑平面；第一状态下，每个所述第一支撑平面高于与其对应的所述第二支撑平面；第二状态下，每个所述第一支撑平面低于与其对应的所述第二支撑平面。本发明设计精巧，采用两套支架结构，并使一支架中的每个支撑平面可高于或低于另一支架中的对应支撑平面，可以自动切换与工件接触的支架，进而改变工件被遮蔽的位置，实现一次性沉积，自动化程度高，操作简单，不需要停止沉积过程，减少了时间成本，大大提高了沉积效率。

摘要： 本申请公开了一种化学气相沉积设备的气路结构及化学气相沉积设备，其中，化学气相沉积设备包括反应器和气路结构，气路结构用于对反应器的沉积腔通气。气路结构包括制程管道、清洁管道、连接件和吸气通道，制程管道配置为输送制程气体，清洁管道配置为输送清洁气体，连接件具有分别与沉积腔连通的第一通道和第二通道，第一通道和第二通道间隔设置，第一通道与制程管道连通，第二通道与清洁管道连通。吸气通道与沉积腔连通，吸气通道用于对沉积腔吸气，以阻挡清洁气体进入制程管道，降低清洁气体腐蚀制程管道的风险，提高可靠性。