机译:应变Si / SiGe N沟道MODFET变容级电容电压特性研究
Univ Stuttgart IHT Stuttgart Germany;
Univ Stuttgart IHT Stuttgart Germany;
German Univ Cairo Egypt;
Ain Shams Univ Fac Engn Dept Engn Phys &
Math Cairo Egypt;
Univ Stuttgart IHT Stuttgart Germany;
MODFET; Silicon germanium; Capacitance voltage characteristics; MODFET-varactor; Modulation doping;
机译:应变Si / SiGe N沟道MODFET变容级电容电压特性研究
机译:电容-电压技术确定镍硅化应变Si / SiGe异质肖特基二极管的界面特性
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机译:子太太辐射耦合对N沟道应变硅模块的数值研究
机译:AU / PPY / N-Si(MPS)型肖特基势垒二极管(SBD)温度依赖性反向偏置电容 - 电压(C-V)特性的研究在100 kHz和500 kHz