机译:基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管中界面状态生成的自我一致性模拟的物理原理及热电载波的运输
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
TU Vienna Inst Microelect A-1040 Vienna Austria;
TU Vienna Inst Microelect A-1040 Vienna Austria;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 B-3001 Leuven Belgium;
Ioffe Inst St Petersburg 194021 Russia;
机译:基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管中界面状态生成的自我一致性模拟的物理原理及热电载波的运输
机译:由于金属氧化物半导体场效应晶体管中的热载流子注入,源附近的沟道长度和时间相关的界面陷阱产生
机译:纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管中热载流子注入界面陷阱的产生过程
机译:使用基于物理的界面和氧化物电荷产生模型对EPROM热载流子引起的降解进行精确模拟
机译:基于碳纳米管场效应晶体管的光发射和光检测设备中的载流子传输。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生