机译:SI Finfet掺杂剂分布的原子探测断层扫描特征:挑战和解决方案
Nanjing Univ Sci &
Technol Herbert Gleiter Inst Nanosci Sch Mat Sci &
Engn Nanjing 210094 Jiangsu Peoples R China;
Nanjing Univ Sci &
Technol Herbert Gleiter Inst Nanosci Sch Mat Sci &
Engn Nanjing 210094 Jiangsu Peoples R China;
Nanjing Univ Sci &
Technol Herbert Gleiter Inst Nanosci Sch Mat Sci &
Engn Nanjing 210094 Jiangsu Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
Nanjing Univ Sci &
Technol Herbert Gleiter Inst Nanosci Sch Mat Sci &
Engn Nanjing 210094 Jiangsu Peoples R China;
atom probe tomography; dopant distribution; FinFET; reconstruction; sampling direction effect;
机译:SI Finfet掺杂剂分布的原子探测断层扫描特征:挑战和解决方案
机译:通过原子探测断层扫描分析下一代FinFET中的通道掺杂剂概况
机译:激光辅助原子探针层析成像技术对MOSFET结构中的掺杂物分布进行3D分析
机译:用于FinFET器件中3D掺杂物分析的原子探针层析成像
机译:使用原子探针层析成像技术在半导体纳米结构中进行掺杂剂映射。
机译:原子层沉积ZnO:Al中的杂质分布通过透射电子显微镜和原子探针观察的胶片断层扫描
机译:限制原子层沉积ZnO:Al薄膜的掺杂效率的因素:透射电子显微镜和原子探测断层扫描的掺杂剂分布研究
机译:原子探针断层扫描表征中子辐照和退火压力容器钢焊缝中的溶质分布