机译:Kelvin力量和拉曼微观结构与Si(111)种植的不同组合物,在高温下
SB RAS AV Rzhanov Inst Semicond Phys Novosibirsk 630090 Russia;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol Higashi 1-1-1 Tsukuba Ibaraki 3058562 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol Higashi 1-1-1 Tsukuba Ibaraki 3058562 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol Higashi 1-1-1 Tsukuba Ibaraki 3058562 Japan;
Ural Fed Univ Sch Nat Sci &
Math Ekaterinburg 620000 Russia;
Lateral Si/Ge heterostructures; High-temperature growth; Kelvin force microscopy; Raman microscopy; Surface potential distribution;
机译:Kelvin力量和拉曼微观结构与Si(111)种植的不同组合物,在高温下
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:Si(100),Si(110)和Si(111)上生长的外延Si / SiGe梯度缓冲结构中的应变:拉曼光谱研究
机译:通过原子氧等离子体生长的二氧化硅/硅(111)-(7 x 7)的原子力显微镜研究
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:利用分子分辨原子力显微镜(AFM)和开尔文探针力显微镜研究了在HOPG上沉积在亚单层和单层中的MnIII6CrIII 3+单分子磁体的晶体结构和分解。