...
机译:通过电子束蒸发原位形成GE富含GE的SIGE合金,并沉积退火对电能带隙的影响
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
Raja Ramanna Ctr Adv Technol Synchrotrons Utilizat Sect Indore 452013 Madhya Pradesh India;
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
HBNI Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
VIT Univ CBCMT Vellore 632014 Tamil Nadu India;
Poly-SiGe thin film; In-situ crystallization; Band gap; Diffusion;
机译:通过电子束蒸发原位形成GE富含GE的SIGE合金,并沉积退火对电能带隙的影响
机译:通过Al_2O_3沉积和随后的后退火,有效地钝化了富Ge的绝缘体上SiGe衬底中的缺陷
机译:沉积后退火对电子束蒸发溴铝酞菁薄膜的形貌和光学性能的影响
机译:沉积后退火对电子束蒸发制备的ZrO_2薄膜性能的影响
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:校正:从聚焦电子束诱导沉积获得的Cu–C材料的生长后退火后形成纯Cu纳米晶体:不同方法的比较
机译:Al2O3沉积和后续退火后富含富含GE富含SiGe-on-Insululator基材的缺陷的钝化