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李成; 杨沁清; 王红杰; 王玉田; 余金中; 王启明;
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;
多量子阱p-i-n; 光电二极管; 快速退火; 蓝移; 锗化硅; 硅;
机译:使用薄膜提高SiGe / Si多量子阱雪崩光电二极管的量子效率
机译:宽波长范围和高速SiGe / Si多量子阱绝缘体上硅基横向PIN光电二极管
机译:使用SiGe / Si多层量子阱优化基于SOI的横向PIN光电二极管的Taguchi优化
机译:衬底偏压和快速热处理对MBE生长的Si / SiGe多量子阱发光的影响
机译:调制掺杂的Si / SiGe量子阱结构的传输性质。
机译:晶格匹配Ga1-x中光电流振荡的实验研究和数值模拟在XñÿAs1-y/ GaAs量子阱p-i-n光电二极管
机译:伪衬底中Ge成分对量子阱中Si / SiGe子带光学跃迁的影响
机译:快速热退火对alGaas / Gaas调制掺杂量子阱影响的光致发光特性
机译:使用快速退火在SiGe层上形成均匀的Ni(Pt)Si(Ge)接触
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