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机译:从紧张的Ge-on绝缘体表面增强光致发光表面 - 钝化与氢化无晶硅钝化
Tokyo City Univ Adv Res Labs Setagaya Ku 8-15-1 Todoroki Tokyo 1580082 Japan;
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Fukushima Univ Fac Symbiot Syst Sci 1 Kanayagawa Fukushima 9601296 Japan;
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机译:从紧张的Ge-on绝缘体表面增强光致发光表面 - 钝化与氢化无晶硅钝化
机译:通过快速热退火工艺提高氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:在电信波长的氢化非晶硅薄膜中增强了环谐振器的光致发光
机译:螺旋波等离子体化学气相沉积法沉积氢化非晶硅氮化硅薄膜的光致发光特性
机译:使用自由电子激光的氢化非晶硅的光致发光激发光谱。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:通过快速热退火工艺提高氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:掺铒非晶氢化硅的室温光致发光