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机译:源/漏金属工作功能对锐钛矿基薄膜晶体管电特性的影响
Univ Seoul Dept Elect &
Comp Engn Seoul 02504 South Korea;
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机译:源/漏金属工作功能对锐钛矿基薄膜晶体管电特性的影响
机译:串联电阻对不同沟道长度场效应迁移率的影响以及源/漏金属化薄膜晶体管特性增强的研究
机译:具有重叠的栅极和源极/漏极区域的可弯曲a-Si:H薄膜晶体管的电特性
机译:源/漏金属的溅射功率对使用湿法反向沟道刻蚀工艺制造的a-IGZO薄膜晶体管性能的影响
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:源/漏电极对氧化硅锡薄膜晶体管电性能的影响
机译:使用SOI和GOI基板形成Si-和GE和GE的全Heusler合金薄膜,用于半金属源和旋转晶体管的漏极