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【2h】

Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films using SOI and GOI Substrates for the Half-metallic Source and Drain of Spin Transistors

机译：使用SOI和GOI基板形成Si-和GE和GE的全Heusler合金薄膜，用于半金属源和旋转晶体管的漏极

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作者
Yota Takamura; Akira Nishijima; Yohei Nagahama; Ryosho Nakane; Satoshi Sugahara;
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年度 2019
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