机译:具有重叠的栅极和源极/漏极区域的可弯曲a-Si:H薄膜晶体管的电特性
Department of Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea;
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机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:通过低能离子掺杂技术形成a-Si:H薄膜晶体管的源区和漏区
机译:一种新颖的薄膜晶体管,具有阶梯式栅极重叠的轻掺杂漏极和凸起的源极/漏极设计
机译:在RF和DC溅射沉积的A-IGZO通道上的底部门控薄膜晶体管中V_T的源/漏源/漏极重叠长度依赖性
机译:用于神经形态应用的肖特基源极/漏极氢化非晶硅薄膜晶体管。
机译:源/漏电极对氧化硅锡薄膜晶体管电性能的影响
机译:背光源光学特性对A-Si:H薄膜晶体管光漏电流的影响研究