机译:基于新型碱性浆料的R面蓝宝石衬底CMP去除率研究
Hebei Univ Technol Sch Elect &
Informat Engn Tianjin 300130 Peoples R China;
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机译:基于新型碱性浆料的R面蓝宝石衬底CMP去除率研究
机译:蓝宝石衬底化学反应层的纳米级厚度,适用于适合CMP的各种浸渍温度
机译:在CMP工艺期间,制备新型催化剂(Sofe(III))及其催化性能朝着蓝宝石衬底的去除率
机译:基于氧化铝(AI_2O_3)磨料的CMP SiC晶体基板(0001)Si表面的CMP浆料设计
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:通过原位生长硼酸铝晶须来连接氧化铝和蓝宝石以及晶须与蓝宝石衬底的取向关系
机译:基于磨料氧化铝(Al2O3)的CMP 6H-SiC晶体(0001)Si表面的材料去除率研究。