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机译:异丙醇浓度及蚀刻时间对低电阻率晶体晶片湿化学各向异性蚀刻的影响
Physics Department;
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机译:异丙醇浓度及蚀刻时间对低电阻率晶体晶片湿化学各向异性蚀刻的影响
机译:晶体硅各向异性湿化学刻蚀中表面覆盖效应的原子模拟
机译:晶体硅各向异性湿化学刻蚀的多尺度建模
机译:金属辅助化学蚀刻工艺期间蚀刻溶液与多晶硅硅晶片表面的润湿性
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
机译:四甲基氢氧化铵/异丙醇湿蚀刻对aFm光刻制备的硅纳米线几何形状和表面粗糙度的影响
机译:在硅晶片的湿化学蚀刻中保护芯片角的技术