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公开/公告号CN100415934C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 硅电子股份公司;
申请/专利号CN200410103734.9
发明设计人 西村茂树;
申请日2004-12-22
分类号C23F1/32(20060101);C23F1/40(20060101);H01L21/306(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人于辉
地址 联邦德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:01:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-09-03
授权
2005-09-28
实质审查的生效
2005-08-03
公开
机译: 用于硅晶片的高纯度碱蚀刻液和硅晶片的碱蚀刻方法
机译: 硅晶片的高纯碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
机译:碱,金属催化化学品的互补蚀刻行为,以及多晶硅硅晶片的蚀刻后蚀刻
机译:金属辅助化学蚀刻和舍入蚀刻在金刚石线锯多晶硅晶片上的化学微观圆面
机译:在较低温度下在KOH + NH 2 OH溶液中的高速蚀刻硅晶片中通过孔的制造。
机译:金属辅助化学蚀刻工艺期间蚀刻溶液与多晶硅硅晶片表面的润湿性
机译:对未经蚀刻,蚀刻,用自蚀刻底漆处理或密封的人类牙釉质渗透性的体外研究。
机译:仅在高温下仅使用氧气进行硅蚀刻:在150 mm硅晶片上进行硅微加工的另一种方法
机译:通过银辅助化学蚀刻梳理与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的协同作用,通过银辅助化学蚀刻粘合倒置金字塔纹理硅晶片的一步制造
机译:在硅晶片的湿化学蚀刻中保护芯片角的技术