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用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法

摘要

本发明提供了用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液,该溶液的金属杂质污染极低,使用所述的碱蚀刻溶液能够提供极佳的表面平整度,本发明还涉及使用所述高纯度碱蚀刻溶液的碱蚀刻方法。本发明的用于蚀刻硅晶片的碱蚀刻溶液中含有40至60重量%的氢氧化钠和0.01至10重量%硝酸盐和/或亚硝酸盐,所述氢氧化钠含有:1pp或更低的铜、镍、镁和铬元素;5ppb或更低的铅和铁元素;10ppb或更低的铝、钙和锌元素;1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。

著录项

  • 公开/公告号CN100415934C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN200410103734.9

  • 发明设计人 西村茂树;

    申请日2004-12-22

  • 分类号C23F1/32(20060101);C23F1/40(20060101);H01L21/306(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人于辉

  • 地址 联邦德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-09-03

    授权

    授权

  • 2005-09-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-03

    公开

    公开

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