机译:通过在130nm CMOS技术中的改性衍生物叠加技术的应用,0.65V,线性化级联UWB LNA
Shahid Rajaee Teacher Training Univ Fac Elect Engn Tehran Iran;
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Low noise amplifier; Ultra-wideband; Cascade structure; Linearity improvement; Forward body bias;
机译:通过在130nm CMOS技术中的改性衍生物叠加技术的应用,0.65V,线性化级联UWB LNA
机译:采用改进的微分叠加法的CMOS 3.1-10.6 GHz UWB LNA
机译:采用改进的微分叠加方法的CMOS 3.1-10.6 GHz UWB LNA
机译:利用改进的导数叠加设计线性度更高的高增益CMOS LNA
机译:用于多无线电多模应用的宽带高度线性CMOS LNA设计。
机译:180Vpp集成线性放大器用于高压CMOS SOI技术中的超声成像应用
机译:采用改进的微分叠加方法的CMOS 3.1-10.6 GHz UWB LNA