机译:过渡金属二甲基化物场效应晶体管中的两和四探测场效应和霍尔迁移率
Sejong Univ Dept Phys &
Astron Seoul 05006 South Korea;
机译:过渡金属二甲基化物场效应晶体管中的两和四探测场效应和霍尔迁移率
机译:场效应晶体管中的二维过渡金属双硫族化物及其电荷载流子迁移率
机译:基于过渡金属二卤化物的高迁移率场效应晶体管
机译:过渡金属二卤化物产生的下一代场效应晶体管的可靠性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:场效应晶体管中的二维过渡金属双硫族化物及其电荷载流子迁移率
机译:分析过渡金属二硫化物mos2中的载流子迁移率 场效应晶体管