三菱ガス化学、EUVリソグラフィ用低分子レジスト材料を開発

摘要

三菱ガス化学は、極端紫外線（EUV）リソグラフィ用低分子フォトレジスト材料「MG Rシリーズ」を開発しており、「MGR108」（C－4-シクロヘキシルフェニルカリックス レ ゾルナシン）の幾何異性体であるtrans体を選択的に製造することを可能にした。このtrans体は、アルカリ現像ネガ型レジスト材料として使用できる一方、日産化学工業の最新微細 化技術であるDry Developement Rinse Processを適用できることから、ネガ型パターンが 反転したポジ型パターンも得られることを確認している。