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机译:基于辐射的MRAM基于非挥发性FPGA软误差缓解的LUT,具有多节点镦粗耐受性
Univ Cent Florida Dept Elect Engn &
Comp Sci Orlando FL 32816 USA;
Univ Cent Florida Dept Elect Engn &
Comp Sci Orlando FL 32816 USA;
magnetic random access memory (MRAM); lookup table (LUT); radiation-hardening; soft error; multi-node upset (MNU); single event upset (SEU); spin Hall effect;
机译:基于辐射的MRAM基于非挥发性FPGA软误差缓解的LUT,具有多节点镦粗耐受性
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