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机译:基于连接FinFET的电容器动态随机存取存储器电气性能模拟
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn 80 Daehak Ro Daegu 41566 South Korea;
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Silicon Germanium; Junctionless Transistor; FinFET; 1T-DRAM;
机译:基于连接FinFET的电容器动态随机存取存储器电气性能模拟
机译:基于双栅GaAs无结晶体管的无电容单晶体管动态随机存取存储器
机译:无接点晶体管中的双极骤回,用于无电容器动态随机存取存储器
机译:基于负电容FinFET的静态随机存取存储器(SRAM)的性能评估
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:整体式3D逻辑电路和静态随机存取存储器的电耦合和仿真
机译:Ha基氧化物的模拟分析和金属化对全能门Finfet器件电性能的影响
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。