National University of Singapore, Singapore;
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Random access memory; Iron; Integrated circuit modeling; FinFETs; Capacitance; Logic gates; Power demand;
机译:基于14个基于FinFET的6T静态随机存取存储器单元功能进行DC和瞬态分析的性能评估
机译:基于7nm节点负电容FinFET的SRAM的性能评估
机译:研究纳米级FinFET中的寄生电阻和电容效应及其对静态随机存取存储单元的影响
机译:基于负电容FINFET的静态随机存取存储器(SRAM)的性能评估
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:高性能的石墨烯掺杂氧化硅基电阻随机存取存储器
机译:X-sRam:在CmOs静态随机中启用存储器内布尔计算 访问记忆
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)