机译:Ha基氧化物的模拟分析和金属化对全能门Finfet器件电性能的影响
机译:使用3-D模拟分析边缘电场对FinFET器件性能和结构优化的影响
机译:通过直接应变和电学测量以及FEA仿真分析TSV诱导的应力对器件性能的影响
机译:由于栅极金属功函数的可变性和随机掺杂波动,器件缩放对无结FinFET性能的影响
机译:基于铪的氧化铪仿真分析及金属化对栅极 - 全面的电气性能的影响
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:前言特别节,关于构成高性能电子系统的互连,封装和设备的电气性能分析和仿真