机译:基于INP的高电子迁移晶体管器件的漏极电流衍生物的表征和精确建模
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
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Islamia Coll Peshawar Dept Phys Kpk 25120 Pakistan;
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InP Based HEMT; Drain Current; Transconductance; Non-Linear Model;
机译:基于INP的高电子迁移晶体管器件的漏极电流衍生物的表征和精确建模
机译:GaN基高电子迁移率晶体管的统一漏极电流1 / f噪声模型
机译:用于平面InP基高电子迁移率晶体管结构的NiAuGeAu欧姆接触,其漏极电导频率色散得到抑制
机译:基于InP的高电子迁移率晶体管(HEMT)中漏极电流瞬态的研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:基于单电子晶体管的电流镜:建模和性能表征