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谢永桂;
航天工业总公司西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054;
高电子迁移率晶体管; 异质结双极晶体管; 化合物半导体;
机译:基于InP的超高速异质结构器件技术:基于InP的HFET和HBT
机译:异质界面平坦度对基于InP的高电子迁移率晶体管器件性能的影响
机译:用于超高速MMIC制造的INP HEMT器件技术
机译:基于化合物半导体器件的超高速光纤通信IC
机译:氮化镓基高电子迁移率晶体管器件的特性。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:用于低噪声和超高速的InP HEMT和HBV:查尔默斯工业大学的器件和电路研究
机译:用于Inp基电子和光学器件制造的大面积si衬底
机译:生产p型氮化镓基化合物半导体的方法,生产氮化镓基化合物半导体发光器件的方法和氮化镓基化合物半导体发光器件
机译:制备III族氮化物基化合物半导体的方法,包括III族氮化物基化合物半导体的晶片和III族氮化物基化合物半导体器件
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