机译:Si-Si-SiO2 MOS结构N沟道中二维电子气体的现场效应迁移性,适当考虑了一些实用特征
Jadavpur Univ Dept Phys Kolkata 700032 India;
Jadavpur Univ Dept Phys Kolkata 700032 India;
Jadavpur Univ Dept Phys Kolkata 700032 India;
机译:Si-Si-SiO2 MOS结构N沟道中二维电子气体的现场效应迁移性,适当考虑了一些实用特征
机译:浮栅结构对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中二维电子气体密度和电子迁移率的影响
机译:确定AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中二维电子气电子迁移率的方法
机译:具有双栅栅结构的高电子迁移率晶体管中的二维等离子体激元的太赫兹发射,检测和调制
机译:在δ掺杂的砷化镓高电子迁移率晶体管结构中使用二维电子气的弹道传输的器件。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:高迁移率的萘二酰亚胺和硒基-亚乙烯基-硒基的共轭聚合物:n沟道有机场效应晶体管及其结构-性能关系