机译:用5%Al和7.5%的金属陶瓷靶的反应性溅射膜膜的制造与表征
Natl Taiwan Univ Sci &
Technol Dept Mat Sci &
Engn Taipei 10607 Taiwan;
Natl Taiwan Univ Sci &
Technol Dept Mat Sci &
Engn Taipei 10607 Taiwan;
AlInGaN; thin film; sputtering; electrical property;
机译:用5%Al和7.5%的金属陶瓷靶的反应性溅射膜膜的制造与表征
机译:通过射频反应磁控溅射技术将Al掺入InGaN膜中获得的四级AlInGaN膜的表征
机译:面对靶反应溅射多晶TiO_2薄膜的制备与表征
机译:反应磁控溅射沉积的抗菌钽氧化物薄膜的制备与表征
机译:通过反应溅射制备的阳离子掺杂钛双氧薄膜:合成,表征和在环境催化中的应用。
机译:反应性射频磁控溅射沉积β-WO3薄膜的HRTEM显微结构表征
机译:通过脉冲DC反应磁控溅射制备的加热底物中亲水性TiO2膜的制备与表征