机译:全耗尽的LWIR HGCDTE P-ON-N异质结中的黑暗电流:分析和数值模拟
US Army Res Lab 2800 Powder Mill Rd Adelphi MD 20783 USA;
MTEQ Mfg Tech 10440 Furnace Rd Suite 204 Lorton VA 22079 USA;
US Army Res Lab 2800 Powder Mill Rd Adelphi MD 20783 USA;
HgCdTe; infrared detectors; depleted p-n junction; radiative recombination; Auger suppression; numerical simulations;
机译:全耗尽的LWIR HGCDTE P-ON-N异质结中的黑暗电流:分析和数值模拟
机译:解析模型辅助的HgCdTe红外探测器中温度相关暗电流的精确模拟
机译:解析模型辅助的HgCdTe红外探测器温度相关暗电流的精确模拟
机译:密集阵列中平面P〜+ n异质结In_(0.53)Ga_(0.47)As光电二极管的三维数值模拟Ⅰ:暗电流对器件几何形状的依赖性
机译:暗物质晕的分析和数值研究。
机译:PN-异质结控制的PVK / ZnO纳米粒子复合紫外光电探测器的低暗电流高电流增益
机译:LWIR nBn和p-on-n HgCdTe光电探测器电流-电压特性的数值分析