机译:用于AL2O3 / INXAL1-XN / ALN / ALN / GAN MOS-HEMTS的基于物理的紧凑型静态和动态特性模型
Al2O3/InxAl1-xN/AlN/GaN; MOS-HEMTs; indium mole fraction; Atlas-TCAD;
机译:用于AL2O3 / INXAL1-XN / ALN / ALN / GAN MOS-HEMTS的基于物理的紧凑型静态和动态特性模型
机译:具有闭合的$ I $ – $ V $和$ C $ – $ V $特性的AlGaN / GaN MODFET的基于物理的紧凑模型
机译:L
机译:AlN / GaN MOS-HEMT的小信号和脉冲特性
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:具有alGaN背势垒的Lg 50 nm InalN / alN / GaN HEmT的静态和动态特性,适用于高功率毫米波应用