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机译:具有闭合的$ I $ – $ V $和$ C $ – $ V $特性的AlGaN / GaN MODFET的基于物理的紧凑模型
AlGaN/GaN MODFET; compact model; cutoff frequency; gate–drain capacitance; gate–source capacitance; sheet charge concentration;
机译:AlGaN / GaN MODFET的基于表面电势的紧凑模型
机译:了解γ-射线使用基于物理的紧凑型模型在AlGaN / GaN Hemts中引起的不稳定
机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的紧凑型直流和交流模型
机译:AlGaN / GaN HFET模型以及基于物理的紧凑模型的前景
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:双通道ALGAN / GAN MODFET的I-V特性和跨导模型
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)