机译:了解γ-射线使用基于物理的紧凑型模型在AlGaN / GaN Hemts中引起的不稳定
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan|Solid State Phys Lab MMIC Fabricat Div New Delhi 11084 India|IIT Delhi Dept Phys New Delhi 110016 India;
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Int Coll Semicond Technol Hsinchu 30010 Taiwan;
Univ Padua Dept Informat Engn I-35131 Padua Italy;
Univ Padua Dept Informat Engn I-35131 Padua Italy;
Univ Padua Dept Informat Engn I-35131 Padua Italy;
Solid State Phys Lab MMIC Fabricat Div New Delhi 11084 India;
Solid State Phys Lab MMIC Fabricat Div New Delhi 11084 India;
IIT Delhi Dept Phys New Delhi 110016 India;
gamma-ray irradiation; AlGaN/GaN HEMTs; compact GaN model; instability;
机译:基于物理的AlGaN / GaN HEMT器件2DEG电荷密度分析模型
机译:基于通用物理的AlGaN / GaN HEMT有限元模型的开发,该模型能够适应过程和外延变化并使用多个DC参数进行校准
机译:基于物理学的GaN / AlGaN HEMT的直流和微波特性模型
机译:P-GaN门AlGaN / GaN Hemts中的状态栅极应力诱导阈值稳定性
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)