首页> 外文OA文献 >Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts

【2h】

Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts

机译：闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Bin Dong; Jie Lin; Ning Wang; Lingli Jiang; Zongdai Liu; Kai Cheng; Hongyu Yu;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. 55％SiCp/Al复合材料的脉冲激光诱导行为研究 [J] . 胡茂顺, 赵国龙, 李亮, 南京航空航天大学学报（英文版） . 2020,第0z1期
2. Negative bias-induced threshold voltage instability andzener/interface trapping mechanism in GaN-based MIS-HEMTs [J] . Qing Zhu, Xiao-Hua Ma, Yi-Lin Chen, 中国物理：英文版 . 2020,第004期

机译：GaN基MIS-HEMT中负偏压引起的阈值电压不稳定性和齐纳/界面陷阱机制
3. Investigation of Trap-Induced Threshold Voltage Instability in GaN-on-Si MISHEMTs [J] . Sun Wenyuan, Joh Jungwoo, Krishnan Srikanth, IEEE Transactions on Electron Devices . 2019,第2期

机译：GaN-on-Si MISHEMT中陷阱引起的阈值电压不稳定性的研究
4. Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs [J] . Pohorelec O., Tapajna M., Gregusova D., Applied Surface Science . 2020,第Octa30期

机译：常关MOS门控Ingan / AlGan / GaN Hemts的界面和阈值电压不稳定性的研究
5. Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts [C] . Bin Dong, Jie Lin, Ning Wang, International Conference on Advanced Electronic Science and Technology . 2017

机译：闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系
6. Charge trapping effects on mobility and threshold voltage instability in high-k gate stacks. [D] . Sim, Jang Hoan. 2005

机译：电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
7. Investigation of Recessed Gate AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Double AlGaN Barrier Designs toward an Enhancement-Mode Characteristic [O] . Tian-Li Wu, Shun-Wei Tang, Hong-Jia Jiang 2020

机译：面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
8. Correlation of interface states/border traps and threshold voltage shift on AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors [O] . Wu Tian-Li, Marcon Denis, Bakeroot Benoit, 2015

机译：alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性
9. Influence of the Polysilicon Gate on the Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations in Sub 100 nm MOSFETS with Thin Gate Oxides [R] . Asenov, Asen, Saini, S. 2000

机译：多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响

Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅