机译:Gasb和Gasb / Alsb超晶格缓冲层,用于在商业GaAs和Si基板上生长的高质量光电二极管
Univ Cadiz Dept Mat Sci &
Met Engn Puerto Real 11510 Spain;
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UCL Dept Elect &
Elect Engn London WC1E 7JE England;
UCL Dept Elect &
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Met Engn Puerto Real 11510 Spain;
TEM; IMF; Si; photodiode; GaAs;
机译:Gasb和Gasb / Alsb超晶格缓冲层,用于在商业GaAs和Si基板上生长的高质量光电二极管
机译:使用MBE在GaAs基板上在GaAs衬底上生长的变质疼痛缓冲型II型IIA / GASB超晶格的原子平滑界面
机译:使用MBE在GaAs衬底上在GaAs基板上生长的变质喘气缓冲器上的II型II型/ GASB超晶格的原子平滑界面
机译:通过AL_(0.09)在GaAs(001)底物上生长的INSB量子孔中的结构缺陷(0.09)IN_(0.91)SB / GASB-ALSB应变层超晶格/ ALSB / GASB缓冲层
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:Gasb和Gasb / Alsb超晶格缓冲层,用于在商业GaAs和Si基板上生长的高质量光电二极管
机译:在错切(100)衬底上生长的Gasb / alsb应变层超晶格的X射线衍射研究