机译:使用MBE在GaAs衬底上在GaAs基板上生长的变质喘气缓冲器上的II型II型/ GASB超晶格的原子平滑界面
Inst Electr Mat Technol Al Lotnikow 32-46 PL-02668 Warsaw Poland;
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Polish Acad Sci Inst Phys Al Lotnikow 32-46 PL-02668 Warsaw Poland;
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IMF-GaSb/GaAs; Metamorphic buffer; Type-II superlattices; Interfaces; Atomically smooth surface;
机译:使用MBE在GaAs基板上在GaAs衬底上生长的变质疼痛缓冲型II型IIA / GASB超晶格的原子平滑界面
机译:(001)GaAs衬底上非常短的InAs / GaSb II型超晶格的MBE生长
机译:MBE在GaSb,GaAs和兼容的GaAs衬底上生长的InGaSb / InAs超晶格结构的比较
机译:在GaAs基板上生长的未冷却MWIR INAS / GASB II类超晶格
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:中波红外INAS / GASB Type-II超晶格光电探测器,N-B-P设计在GaAs衬底上生长