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机译:快速热退火对Si(111)衬底生长的Pd / Au肖特基接触电气和结构性能的影响
Univ Delhi Dept Elect Sci South Campus Benito Juarez Rd New Delhi 110021 India;
Univ Delhi Dept Elect Sci South Campus Benito Juarez Rd New Delhi 110021 India;
Sri Venkateswara Univ Dept Phys Tirupati 517502 Andhra Pradesh India;
Chungnam Natl Univ Dept Phys 220 Gung Dong Daejeon 305765 South Korea;
III-V semiconductors; Schottky barrier diode; XPS; XRD; AFM;
机译:快速热退火对Si(111)衬底生长的Pd / Au肖特基接触电气和结构性能的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构上热退火的Ni / Au和Ni / Pt / Au肖特基接触的电和微观结构性质
机译:快速热退火对P型/ Au肖特基接触n型InP的电和结构性能的影响
机译:(Pd / au)肖特基接触的电气和结构性(Pd / au)与mbe种植的生长和快速热退火的甘
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:热退火行为对n型GaN上Pd / Ru肖特基接触的电性能的影响