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机译:取向依赖性泄漏电流行为和偏离轴溅射BIFEO3薄膜的铁电偏振
Qilu Univ Technol Shandong Acad Sci Inst Adv Energy Mat &
Chem Sch Chem &
Pharmaceut Engn Jinan 250353 Shandong Peoples R China;
Shandong Univ Minist Educ Key Lab Liquid Solid Struct Evolut &
Proc Mat Jinan 250061 Shandong Peoples R China;
Shandong Univ Minist Educ Key Lab Liquid Solid Struct Evolut &
Proc Mat Jinan 250061 Shandong Peoples R China;
BiFeO3 thin films; Leakage mechanisms; Ferroelectric polarizations; Crystallographic orientation; Off-axis sputtering;
机译:取向依赖性泄漏电流行为和偏离轴溅射BIFEO3薄膜的铁电偏振
机译:化学溶液沉积制备(Ba0.50Sr0.50)(Ti0.80Sn0.20)O3薄膜的纳米铁电可转换极化和漏电流行为
机译:用TiO2层组合的Mn掺杂BifeO3薄膜中降低漏电流,增强的铁电和介电性能
机译:场相关载流子迁移率和介电常数对高介电常数和铁电薄膜中受空间电荷限制的漏电流特性的影响
机译:BiFeO3薄膜中的原子尺度极化结构和畴动力学。
机译:射频磁控溅射沉积BiFeO3薄膜的结构和纳米力学性能
机译:BifeO3 / Pb(Zr0.52Ti0.48)渗出电流性能的铁电,渗漏液通过化学溶液沉积制备的O3Multilayer薄膜
机译:超临界BiFeO3薄膜的铁电畴缩放和切换沉积在邻近基板上。