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孙旭辉; 叶万能; 夏临华; 卢朝靖;
青岛大学物理科学学院;
青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地;
溶胶-凝胶法; Bi3.15Nd0.85Ti3O12; 铁电薄膜; 取向生长;
机译:Si(001)上c轴取向La2 / 3Sr1 /3MnO3-δ薄膜的原位生长
机译:Si(001)上c轴取向La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_(3-δ)薄膜的原位生长
机译:Si(100)上a轴取向Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)与非c轴取向SrBi_2Ta_2O_9薄膜的晶体学和铁电性能比较
机译:MOCVD法制备C轴和非C轴取向外延生长铋层结构的不同m数铁电薄膜的铁电特性
机译:通过正交交叉束脉冲激光沉积在硅上外延取向氮化钛薄膜的生长和表征。
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:比较a轴取向Bi3:25La0:75Ti3O12与si(100)上非c轴取向srBi2Ta2O9薄膜的晶体学和铁电性能
机译:脉冲有机金属梁外延生长在(001)mgO上的(001)YBa2Cu3O7-δ面内取向控制
机译:外延生长在缓冲硅上的非c轴取向铋层钙钛矿铁电结构
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