机译:沉积条件对等离子体增强反应溅射沉积的A-IgZO膜电性能的影响
Osaka Univ Joining &
Welding Res Inst 11-1 Mihogaoka Osaka 5670047 Japan;
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EMD Corp 2426-1 Mikami Yasu Shiga 5202323 Japan;
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Plasma-enhanced reactive sputtering; Amorphous oxide semiconductor; Indium gallium zinc oxide; Thin film transistor; Electrical properties;
机译:沉积条件对等离子体增强反应溅射沉积的A-IgZO膜电性能的影响
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机译:等离子体增强原子层沉积沉积的TiO_2薄膜结构和电特性的比较研究及RF溅射
机译:通过中和离子束溅射和脉冲激光沉积沉积的n型薄膜透明导电氧化物的电学和光学性质的制备和表征。
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:Si对通过反应直流溅射沉积的(Al,Ti,Si)N膜的结构,电和光学性质的影响