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机译:沉积条件对射频反应溅射沉积氮化铝膜结构和形貌的影响
School of Materials Engineering, CPPL Lab, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;
aluminum nitride; preferred orientation morphology; X-ray diffraction; field emission scanning electron microscopy;
机译:沉积条件对溅射沉积的钼和反应溅射沉积的氮化钼膜的机械应力和显微组织的影响
机译:沉积条件对直流反应磁控溅射制备的氮化铝(AlN)薄膜光学性能的影响
机译:沉积条件对射频反应溅射多晶ZnO薄膜结构性能的影响
机译:反应性RF磁控溅射沉积的石英基板上氮化铝薄膜的结构和压电性能
机译:沉积 和 氮化铟 的 表征和 氮化铝 薄膜的 反应溅射
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:沉积条件和沉积后退火对反应溅射氮化钛薄膜的影响
机译:反应溅射沉积法制备锌,铝和钒(及相关系统,金和锗氧化物,铝和钨氮化物)氧化物的低温薄膜生长