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机译:单层过渡金属二甲基化物中空位缺陷的电子和光学性质
Univ Cent Florida Dept Phys NanoSci Technol Ctr Orlando FL 32826 USA;
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Air Force Res Lab Sensors Directorate Wright Patterson AFB OH 45433 USA;
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机译:单层过渡金属二卤化物中空位缺陷的电子和光学性质
机译:单层过渡金属二甲基化物中空位缺陷的电子和光学性质
机译:系统研究二维过渡金属二卤化金属MX_2(M = Mo,W; X = S,Se,Te)中原子尺度缺陷的结构,电子和光学性质
机译:通过系统的从头算计算研究单层过渡金属二卤化二锡(TMD)TFET中的W空位缺陷
机译:单层第VI族过渡金属硫族化物中的缺陷诱导光电响应。
机译:通过缺陷电荷调节过渡金属二卤化物的电子性能
机译:过渡金属空位缺陷的电子和光学特性 二硫属化物