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机译:绝缘体 - 金属转变在T相Cr掺杂和M1相未掺杂的VO2薄膜
Aligarh Muslim Univ Dept Phys Aligarh 202002 Uttar Pradesh India;
UGC DAE Consortium Sci Res Indore 452001 Madhya Pradesh India;
Aligarh Muslim Univ Dept Phys Aligarh 202002 Uttar Pradesh India;
Raja Ramanna Ctr Adv Technol Mat Sci Div Nano Sci Lab Indore 452013 Madhya Pradesh India;
UGC DAE Consortium Sci Res Indore 452001 Madhya Pradesh India;
Aligarh Muslim Univ Dept Phys Aligarh 202002 Uttar Pradesh India;
Deutsch Elekt Synchrotron DESY Notkestr 85 D-22607 Hamburg Germany;
UGC DAE Consortium Sci Res Indore 452001 Madhya Pradesh India;
UGC DAE Consortium Sci Res Indore 452001 Madhya Pradesh India;
Deutsch Elekt Synchrotron DESY Notkestr 85 D-22607 Hamburg Germany;
机译:绝缘体 - 金属转变在T相Cr掺杂和M1相未掺杂的VO2薄膜
机译:时间分辨太赫兹光谱研究VO2薄膜中的光诱导绝缘体-金属相变和金属相传播
机译:基于温度的拉曼光谱和紫外光电子能谱研究具有M1和M2相的VO2薄膜的相变行为
机译:基于VO2和GE掺杂VO2 ALD薄膜中绝缘子 - 金属相转变的射频温度传感器
机译:二氧化钒(VO2)薄膜的半导体到金属相转变
机译:VO2绝缘体-金属相变中畴壁动力学的原位原子尺度可视化
机译:通过DC反应溅射在不同基板上合成的VO2(M1)薄膜中增强的相变和红外光响应特性
机译:VO2纳米间隙结中绝缘子 - 金属相变的电子和热效应。