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Nb5+掺杂的单斜相VO2金属‑绝缘体相变陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及Nb5+掺杂的单斜相VO2金属‑绝缘体相变陶瓷及其制备方法。该方法采用水热法以柠檬酸还原V2O5,经高温热处理得到单斜相VO2粉体原料,按不同掺杂比例掺入Nb5+混合研磨,经压片高温多次烧结得到金属‑绝缘体相变温度大大降低至室温乃至更低温度的VO2块体陶瓷材料。本发明工艺简单,制备效率高,烧结温度低,能耗小,成本低,环保无毒无污染,且制成的陶瓷相变性能好,结构稳定均匀,VO2块体陶瓷相变温度极大降低至室温25℃附近。在实际生产中具有巨大的利用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN107162591A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201710191616.5

  • 发明设计人 袁松柳;张润;尹重阳;符青山;

    申请日2017-03-28

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/626(20060101);

  • 代理机构11570 北京众达德权知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘杰

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 03:20:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/495 申请日:20170328

    实质审查的生效

  • 2017-09-15

    公开

    公开

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