机译:通过镧系元素取代掺杂控制MOS2单层的磁性和光学响应:第一原理研究
CSIR Nat Resources &
Environm POB 395 ZA-0001 Pretoria South Africa;
West Virginia Univ Dept Phys &
Astron Morgantown WV USA;
Univ South Africa Phys Dept POB 392 ZA-0003 Pretoria South Africa;
Tech Univ Kenya Dept Phys &
Space Sci POB 52428-00200 Nairobi Kenya;
West Virginia Univ Dept Phys &
Astron Morgantown WV USA;
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机译:通过镧系元素替代掺杂控制HFS2单层的电子和光学性质:DFT + U研究
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机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:单层MOS2的带隙工程和近红外-II光学性质:第一原理研究
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