机译:4''淋浴头化学气相沉积反应器中生长速率与石墨烯结构之间的关系
Univ Duisburg Essen Werkstoffe Elektrotech D-47057 Duisburg Germany;
growth rate; chamber pressure; methane to hydrogen ratio; nucleation density; grain shape; chemical vapor deposition; graphene;
机译:4''淋浴头化学气相沉积反应器中生长速率与石墨烯结构之间的关系
机译:通过化学气相沉积和原子层沉积在Ru(0001)上生长的石墨烯/六方BN异质结构的电子结构:外在掺杂的石墨烯
机译:外延生长的二维晶体异质结构:单和双MoS
机译:通过大气压化学气相沉积对Ni箔产生石墨烯的底物温度的影响
机译:化学气相沉积在镍(111)上生长的石墨烯中的缺陷结构。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:用乙烯化学气相沉积法研究生长压力对4H-siC衬底上外延石墨烯的影响
机译:通过化学气相沉积法生长分散相BN-alN涂层的晶粒结构和生长