Graphene; APCVD; X-ray diffraction; Growth mechanism;
机译:通过化学气相沉积,通过铜箔基板的纹理和形态控制,显着提高了石墨烯单层的厚度均匀性
机译:通过化学蒸气沉积在铜箔上生长的石墨烯的表征(
机译:低压化学气相沉积法在多晶PtRh_(20)合金箔上生长的高质量石墨烯及其电传输性能
机译:通过大气压化学气相沉积对Ni箔产生石墨烯的底物温度的影响
机译:使用大气压化学气相沉积进行石墨烯生长和加工的研究。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:通过大气压化学气相沉积对Ni箔产生石墨烯的底物温度的影响