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机译:自上而下的制造锥形GaAs纳米线,掩模沉积蚀刻
Univ Waterloo Dept Elect &
Comp Engn 200 Univ Ave W Waterloo ON N2L 3G1 Canada;
gallium arsenide; tapered nanowires; broadband absorption; top-down approach;
机译:自上而下的制造锥形GaAs纳米线,掩模沉积蚀刻
机译:通过FIB植入和湿法蚀刻通过自上而下工艺制造的P型硅氧化硅纳米线的压阻效应
机译:使用全能门(gaa)器件和自顶向下方法制造的Si-纳米线Cmos逆变器逻辑
机译:牺牲掩模FAB刻蚀法制备具有三角形沟槽的玻璃全息衍射光栅。
机译:GaAs / AlGaAs SQW激光器和锥形波导耦合器的集成。
机译:金属辅助化学刻蚀制备的Au盖GaAs纳米柱阵列
机译:通过自顶向下方法制造的InGaas / Inas异质结垂直纳米线隧道FET