...
机译:软型陷阱诱导的MOS2场效应晶体管的降解
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Sch Elect Engn Seoul 02841 South Korea;
MoS2; low frequency noise; degradation; CNF-CMF model;
机译:软型陷阱诱导的MOS2场效应晶体管的降解
机译:用于高性能多层MOS2场效应晶体管的无损坏云母/ MOS2接口
机译:垂直MoS2 / hBN / MoS2层间隧穿场效应晶体管
机译:MoS2背栅场效应晶体管中的持久光电导,磁滞和场发射
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:化学合成的单层MoS2 ᅠ场效应晶体管中生长衬底引起的性能下降