机译:通过插入用于数据存储应用的氧空位富含氧化锆氧化物层来消除基于TiO2的器件的负面行为
Chungbuk Natl Univ Sch Elect Engn Cheongju 28644 South Korea;
Univ Tsukuba Ctr Computat Sci Tsukuba Ibaraki 3058577 Japan;
Bahauddin Zakariya Univ Dept Phys Multan 60800 Pakistan;
Dongguk Univ Div Elect &
Elect Engn Seoul 04620 South Korea;
electrochemical cell; negative Set behavior; oxygen ion reservoir; redox reaction; RRAM devices;
机译:通过插入用于数据存储应用的氧空位富含氧化锆氧化物层来消除基于TiO2的器件的负面行为
机译:超薄富含空位的煤层双氢氧化物/石墨氧化物催化剂:钴空位和氧缺氧在醇氧化中的促进效果
机译:通过在基于环氧树脂的电阻开关存储器装置中添加石墨烯阻塞层来消除负片行为
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机译:储能系统:跟踪热膨胀和氧空位对富镍层状阴极材料热稳定性的影响(Adv。Sci。12/2020)
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